RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
69
Около -245% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.3
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
20
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
19.2
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
3429
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link