RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
69
85
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.0
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
85
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
11.3
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
1118
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link