Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Средняя оценка

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 12.7

Среднее значение в тестах

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

Причины выбрать
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

42 69

Около -64% меньшая задержка
Выше скорость записи

10.2 1,857.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

69 42
Скорость чтения, Гб/сек

4,217.2 12.7
Скорость записи, Гб/сек

1,857.7 10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

668 2701

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB

Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB

Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB

Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB

Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB

G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB

Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB

Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB

Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB

A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB

модули RAM