RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
58
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.8
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
20.1
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
4060
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link