RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Kingston 9905678-110.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
58
Около -142% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.7
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
14.3
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
2101
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Kingston ASU1600S11-4G-EDEG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link