RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
58
Около -222% меньшая задержка
Выше скорость записи
18.1
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
18
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
20.4
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
3529
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
INTENSO 5641152 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link