RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
58
59
Около 2% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
9
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.6
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
59
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
9.0
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
2128
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kllisre 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link