RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
58
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.2
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
2489
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link