RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
46
Около -119% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.1
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
21
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
19.1
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3350
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link