Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против AMD R744G2400U1S-UO 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Средняя оценка
star star star star star
AMD R744G2400U1S-UO 4GB

AMD R744G2400U1S-UO 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    46 left arrow 66
    Около 30% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    2 left arrow 16.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.5 left arrow 1,519.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 3200
    Около 5.31 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    46 left arrow 66
  • Скорость чтения, Гб/сек
    2,909.8 left arrow 16.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,519.2 left arrow 8.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    3200 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Тайминги / частота
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    241 left arrow 1912
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения