RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
46
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.8
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
3200
Около 8 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
37
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
16.9
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
25600
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3170
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link