RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
46
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.8
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
14.5
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2399
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link