RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
46
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.9
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
13.4
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2081
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link