RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
46
Около -84% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.4
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
25
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
18.1
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3427
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link