RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
46
Около -130% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.5
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
20
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
19.6
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3234
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston HP16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston HP16D3LS1KBG/4G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link