RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
46
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.3
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
31
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
17.7
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3713
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link