RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Kingston XRMWRN-MIE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
46
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.1
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
31
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3402
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Micron Technology 16HTF25664HY-800J2 2GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link