Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    46 left arrow 48
    Около 4% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    2 left arrow 17.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.3 left arrow 1,519.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 3200
    Около 8 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    46 left arrow 48
  • Скорость чтения, Гб/сек
    2,909.8 left arrow 17.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,519.2 left arrow 8.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    3200 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • Тайминги / частота
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    241 left arrow 2196
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения