RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
46
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
15.8
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2711
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link