Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    2 left arrow 15.8
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    29 left arrow 46
    Около -59% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    11.8 left arrow 1,519.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 3200
    Около 5.31 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    46 left arrow 29
  • Скорость чтения, Гб/сек
    2,909.8 left arrow 15.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,519.2 left arrow 11.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    3200 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Тайминги / частота
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    241 left arrow 2711
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения