RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
72
Около 36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.5
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
72
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
14.6
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
1918
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 36JSF1G72PZ-1G6K1 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link