RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
63
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.7
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
3200
Около 8 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
63
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
14.7
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
25600
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2543
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link