RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
46
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.3
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
3200
Около 7.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
23400
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2709
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link