RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
46
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.0
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2414
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link