RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
46
Около -142% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.2
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
19
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
18.7
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3220
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link