RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
46
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.0
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
3200
Около 7.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
43
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
15.0
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
23400
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2794
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link