RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
46
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.3
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.8
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
3200
Около 8 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
36
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
21.3
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
25600
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3610
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link