RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
46
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.4
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
16.3
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2637
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link