RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB против G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,096.4
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
60
Около -200% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
20
Скорость чтения, Гб/сек
4,168.7
19.1
Скорость записи, Гб/сек
2,096.4
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
3506
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link