RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
60
Около -76% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
16.8
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2772
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link