RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
60
Около -161% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
17.5
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
3193
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB Сравнения RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link