RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
17.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
60
Около -216% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
19
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
20.2
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
17.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
3862
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link