RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
14.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
60
Около -131% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
17.8
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
3143
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link