RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
60
Около -82% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
16.5
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
3013
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link