RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
60
Около -94% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
2,168.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
15.4
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2554
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 9905402-414.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link