Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    60 left arrow 70
    Около 14% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 15.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.3 left arrow 2,168.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 5300
    Около 4.02 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    60 left arrow 70
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,595.2 left arrow 15.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,168.2 left arrow 8.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    941 left arrow 1923
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения