RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
60
Около -107% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
17.3
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
3508
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
SK Hynix Kingston 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link