RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
14.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
60
Около -33% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
45
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
16.2
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
3027
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link