RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
16.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
60
Около -253% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
17
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
20.9
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
3550
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF552C40-16 16GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link