RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
60
Около -107% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
17.9
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
3501
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link