RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
60
Около -88% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
16.9
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
3222
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link