RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,784.6
18.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
65
Около -183% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
19.8
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
18.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
4128
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link