RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,784.6
11.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
60
65
Около -8% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
60
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
2359
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link