RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против AMD R7416G2133U2S 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
AMD R7416G2133U2S 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
77
78
Около 1% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
AMD R7416G2133U2S 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.7
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
78
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
13.5
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
1594
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link