RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
77
Около -133% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.1
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3155
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link