RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
77
Около -126% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
15.9
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2824
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link