RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
77
Около -196% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
18.8
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3576
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link