RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
77
Около -148% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.8
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
11.4
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2371
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link