RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
77
Около -175% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.1
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2833
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link