RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
77
Около -166% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
15.8
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2711
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link