RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
77
Около -196% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
14.0
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2163
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link